PTFA081501FV1 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  PTFA081501FV1
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies PTFA081501FV1 Product Category: Transistors RF MOSFET Power RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: N-Channel Frequency: 864 MHz to 900 MHz Gain: 18 dB Output Power: 150 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 950 mA Gate-Source Breakdown Voltage: 12 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: H-31248-2 Mounting Style: SMD/SMT Power Dissipation: 449 W
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PTFA081501FV1.pdf
Файл формата Pdf 225,76 KB